Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFQ60N60X
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
Numer części
IXFQ60N60X
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
143nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21508 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFQ60N60X
IXFQ60N60X Części elektroniczne
IXFQ60N60X Obroty
IXFQ60N60X Dostawca
IXFQ60N60X Dystrybutor
IXFQ60N60X Tabela danych
IXFQ60N60X Zdjęcia
IXFQ60N60X Cena
IXFQ60N60X Oferta
IXFQ60N60X Najniższa cena
IXFQ60N60X Szukaj
IXFQ60N60X Nabywczy
IXFQ60N60X Chip