Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFQ120N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P
Numer części
IXFQ120N25X3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Rozpraszanie mocy (maks.)
520W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
122nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7870pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 7720 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFQ120N25X3
IXFQ120N25X3 Części elektroniczne
IXFQ120N25X3 Obroty
IXFQ120N25X3 Dostawca
IXFQ120N25X3 Dystrybutor
IXFQ120N25X3 Tabela danych
IXFQ120N25X3 Zdjęcia
IXFQ120N25X3 Cena
IXFQ120N25X3 Oferta
IXFQ120N25X3 Najniższa cena
IXFQ120N25X3 Szukaj
IXFQ120N25X3 Nabywczy
IXFQ120N25X3 Chip