Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFQ14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
Numer części
IXFQ14N80P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarHT™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Rozpraszanie mocy (maks.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
720 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
61nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3900pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 20629 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFQ14N80P
IXFQ14N80P Części elektroniczne
IXFQ14N80P Obroty
IXFQ14N80P Dostawca
IXFQ14N80P Dystrybutor
IXFQ14N80P Tabela danych
IXFQ14N80P Zdjęcia
IXFQ14N80P Cena
IXFQ14N80P Oferta
IXFQ14N80P Najniższa cena
IXFQ14N80P Szukaj
IXFQ14N80P Nabywczy
IXFQ14N80P Chip