Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFQ10N80P
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
Numer części
IXFQ10N80P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarHT™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2050pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 30173 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFQ10N80P
IXFQ10N80P Części elektroniczne
IXFQ10N80P Obroty
IXFQ10N80P Dostawca
IXFQ10N80P Dystrybutor
IXFQ10N80P Tabela danych
IXFQ10N80P Zdjęcia
IXFQ10N80P Cena
IXFQ10N80P Oferta
IXFQ10N80P Najniższa cena
IXFQ10N80P Szukaj
IXFQ10N80P Nabywczy
IXFQ10N80P Chip