Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SQJ980AEP-T1_GE3

SQJ980AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
Numer części
SQJ980AEP-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TA)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Moc - maks
34W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
75V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
21nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
790pF @ 35V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 15442 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe SQJ980AEP-T1_GE3
SQJ980AEP-T1_GE3 Części elektroniczne
SQJ980AEP-T1_GE3 Obroty
SQJ980AEP-T1_GE3 Dostawca
SQJ980AEP-T1_GE3 Dystrybutor
SQJ980AEP-T1_GE3 Tabela danych
SQJ980AEP-T1_GE3 Zdjęcia
SQJ980AEP-T1_GE3 Cena
SQJ980AEP-T1_GE3 Oferta
SQJ980AEP-T1_GE3 Najniższa cena
SQJ980AEP-T1_GE3 Szukaj
SQJ980AEP-T1_GE3 Nabywczy
SQJ980AEP-T1_GE3 Chip