Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SQJ914EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Numer części
SQJ914EP-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Moc - maks
27W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1110pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 27876 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQJ914EP-T1_GE3
SQJ914EP-T1_GE3 Części elektroniczne
SQJ914EP-T1_GE3 Obroty
SQJ914EP-T1_GE3 Dostawca
SQJ914EP-T1_GE3 Dystrybutor
SQJ914EP-T1_GE3 Tabela danych
SQJ914EP-T1_GE3 Zdjęcia
SQJ914EP-T1_GE3 Cena
SQJ914EP-T1_GE3 Oferta
SQJ914EP-T1_GE3 Najniższa cena
SQJ914EP-T1_GE3 Szukaj
SQJ914EP-T1_GE3 Nabywczy
SQJ914EP-T1_GE3 Chip