SQJ912AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Numer części
SQJ912AEP-T1_GE3
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Moc - maks
48W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1835pF @ 20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 54037 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SQJ912AEP-T1_GE3
SQJ912AEP-T1_GE3 Części elektroniczne
SQJ912AEP-T1_GE3 Obroty
SQJ912AEP-T1_GE3 Dostawca
SQJ912AEP-T1_GE3 Dystrybutor
SQJ912AEP-T1_GE3 Tabela danych
SQJ912AEP-T1_GE3 Zdjęcia
SQJ912AEP-T1_GE3 Cena
SQJ912AEP-T1_GE3 Oferta
SQJ912AEP-T1_GE3 Najniższa cena
SQJ912AEP-T1_GE3 Szukaj
SQJ912AEP-T1_GE3 Nabywczy
SQJ912AEP-T1_GE3 Chip