Kup Vishay Siliconix SQJ952EP-T1_GE3 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Arkusze danych

SQJ952EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Numer części

SQJ952EP-T1_GE3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stan części

Active

Opakowanie

Cut Tape (CT)

temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

PowerPAK® SO-8 Dual

Moc - maks

25W (Tc)

Pakiet urządzeń dostawcy

PowerPAK® SO-8 Dual

Typ FET

2 N-Channel (Dual)

Funkcja FET

Standard

Napięcie dren-źródło (Vdss)

60V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

30nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1800pF @ 30V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 53000 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Vishay Siliconix

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Vishay Siliconix

SQJ912AEP-T1_GE3