SIZF916DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
Numer części
SIZF916DT-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET® Gen IV
Stan części
Active
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerWDFN
Moc - maks
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PowerPair® (6x5)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 34590 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIZF916DT-T1-GE3
SIZF916DT-T1-GE3 Części elektroniczne
SIZF916DT-T1-GE3 Obroty
SIZF916DT-T1-GE3 Dostawca
SIZF916DT-T1-GE3 Dystrybutor
SIZF916DT-T1-GE3 Tabela danych
SIZF916DT-T1-GE3 Zdjęcia
SIZF916DT-T1-GE3 Cena
SIZF916DT-T1-GE3 Oferta
SIZF916DT-T1-GE3 Najniższa cena
SIZF916DT-T1-GE3 Szukaj
SIZF916DT-T1-GE3 Nabywczy
SIZF916DT-T1-GE3 Chip