SIZF906ADT-T1-GE3
MOSFET DUEL N-CHAN 30V
Numer części
SIZF906ADT-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET® Gen IV
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerWDFN
Moc - maks
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PowerPair® (6x5)
Typ FET
2 N-Channel (Dual), Schottky
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 18534 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIZF906ADT-T1-GE3
SIZF906ADT-T1-GE3 Części elektroniczne
SIZF906ADT-T1-GE3 Obroty
SIZF906ADT-T1-GE3 Dostawca
SIZF906ADT-T1-GE3 Dystrybutor
SIZF906ADT-T1-GE3 Tabela danych
SIZF906ADT-T1-GE3 Zdjęcia
SIZF906ADT-T1-GE3 Cena
SIZF906ADT-T1-GE3 Oferta
SIZF906ADT-T1-GE3 Najniższa cena
SIZF906ADT-T1-GE3 Szukaj
SIZF906ADT-T1-GE3 Nabywczy
SIZF906ADT-T1-GE3 Chip