SIZ322DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
Numer części
SIZ322DT-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET® Gen IV
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerWDFN
Moc - maks
16.7W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-Power33 (3x3)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20.1nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
950pF @ 12.5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 10959 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIZ322DT-T1-GE3
SIZ322DT-T1-GE3 Części elektroniczne
SIZ322DT-T1-GE3 Obroty
SIZ322DT-T1-GE3 Dostawca
SIZ322DT-T1-GE3 Dystrybutor
SIZ322DT-T1-GE3 Tabela danych
SIZ322DT-T1-GE3 Zdjęcia
SIZ322DT-T1-GE3 Cena
SIZ322DT-T1-GE3 Oferta
SIZ322DT-T1-GE3 Najniższa cena
SIZ322DT-T1-GE3 Szukaj
SIZ322DT-T1-GE3 Nabywczy
SIZ322DT-T1-GE3 Chip