SIZ320DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CHANNEL 25V 8-POWER33
Numer części
SIZ320DT-T1-GE3
Producent/marka
Seria
PowerPAIR®, TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerWDFN
Moc - maks
16.7W, 31W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-Power33 (3x3)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21786 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIZ320DT-T1-GE3
SIZ320DT-T1-GE3 Części elektroniczne
SIZ320DT-T1-GE3 Obroty
SIZ320DT-T1-GE3 Dostawca
SIZ320DT-T1-GE3 Dystrybutor
SIZ320DT-T1-GE3 Tabela danych
SIZ320DT-T1-GE3 Zdjęcia
SIZ320DT-T1-GE3 Cena
SIZ320DT-T1-GE3 Oferta
SIZ320DT-T1-GE3 Najniższa cena
SIZ320DT-T1-GE3 Szukaj
SIZ320DT-T1-GE3 Nabywczy
SIZ320DT-T1-GE3 Chip