SIR606DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO
Numer części
SIR606DP-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
44.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22nC @ 6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1360pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39026 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIR606DP-T1-GE3
SIR606DP-T1-GE3 Części elektroniczne
SIR606DP-T1-GE3 Obroty
SIR606DP-T1-GE3 Dostawca
SIR606DP-T1-GE3 Dystrybutor
SIR606DP-T1-GE3 Tabela danych
SIR606DP-T1-GE3 Zdjęcia
SIR606DP-T1-GE3 Cena
SIR606DP-T1-GE3 Oferta
SIR606DP-T1-GE3 Najniższa cena
SIR606DP-T1-GE3 Szukaj
SIR606DP-T1-GE3 Nabywczy
SIR606DP-T1-GE3 Chip