SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Numer części
SIR606BDP-T1-RE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET® Gen IV
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1470pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
7.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 38300 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SIR606BDP-T1-RE3
SIR606BDP-T1-RE3 Części elektroniczne
SIR606BDP-T1-RE3 Obroty
SIR606BDP-T1-RE3 Dostawca
SIR606BDP-T1-RE3 Dystrybutor
SIR606BDP-T1-RE3 Tabela danych
SIR606BDP-T1-RE3 Zdjęcia
SIR606BDP-T1-RE3 Cena
SIR606BDP-T1-RE3 Oferta
SIR606BDP-T1-RE3 Najniższa cena
SIR606BDP-T1-RE3 Szukaj
SIR606BDP-T1-RE3 Nabywczy
SIR606BDP-T1-RE3 Chip