Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
Numer części
SI7901EDN-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8 Dual
Moc - maks
1.3W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8 Dual
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 800µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35131 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe SI7901EDN-T1-E3
SI7901EDN-T1-E3 Części elektroniczne
SI7901EDN-T1-E3 Obroty
SI7901EDN-T1-E3 Dostawca
SI7901EDN-T1-E3 Dystrybutor
SI7901EDN-T1-E3 Tabela danych
SI7901EDN-T1-E3 Zdjęcia
SI7901EDN-T1-E3 Cena
SI7901EDN-T1-E3 Oferta
SI7901EDN-T1-E3 Najniższa cena
SI7901EDN-T1-E3 Szukaj
SI7901EDN-T1-E3 Nabywczy
SI7901EDN-T1-E3 Chip