Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI7900AEDN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Numer części
SI7900AEDN-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8 Dual
Moc - maks
1.5W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23293 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI7900AEDN-T1-E3
SI7900AEDN-T1-E3 Części elektroniczne
SI7900AEDN-T1-E3 Obroty
SI7900AEDN-T1-E3 Dostawca
SI7900AEDN-T1-E3 Dystrybutor
SI7900AEDN-T1-E3 Tabela danych
SI7900AEDN-T1-E3 Zdjęcia
SI7900AEDN-T1-E3 Cena
SI7900AEDN-T1-E3 Oferta
SI7900AEDN-T1-E3 Najniższa cena
SI7900AEDN-T1-E3 Szukaj
SI7900AEDN-T1-E3 Nabywczy
SI7900AEDN-T1-E3 Chip