Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TPN2R805PL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Numer części
TPN2R805PL,L1Q
Producent/marka
Seria
U-MOSIX-H
Stan części
Active
Opakowanie
-
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
175°C
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
45V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
139A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
39nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3.2nF @ 22.5V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 51771 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TPN2R805PL,L1Q
TPN2R805PL,L1Q Części elektroniczne
TPN2R805PL,L1Q Obroty
TPN2R805PL,L1Q Dostawca
TPN2R805PL,L1Q Dystrybutor
TPN2R805PL,L1Q Tabela danych
TPN2R805PL,L1Q Zdjęcia
TPN2R805PL,L1Q Cena
TPN2R805PL,L1Q Oferta
TPN2R805PL,L1Q Najniższa cena
TPN2R805PL,L1Q Szukaj
TPN2R805PL,L1Q Nabywczy
TPN2R805PL,L1Q Chip