TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Numer części
TPN2010FNH,L1Q
Producent/marka
Seria
U-MOSVIII-H
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Rozpraszanie mocy (maks.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
600pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 5663 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TPN2010FNH,L1Q
TPN2010FNH,L1Q Części elektroniczne
TPN2010FNH,L1Q Obroty
TPN2010FNH,L1Q Dostawca
TPN2010FNH,L1Q Dystrybutor
TPN2010FNH,L1Q Tabela danych
TPN2010FNH,L1Q Zdjęcia
TPN2010FNH,L1Q Cena
TPN2010FNH,L1Q Oferta
TPN2010FNH,L1Q Najniższa cena
TPN2010FNH,L1Q Szukaj
TPN2010FNH,L1Q Nabywczy
TPN2010FNH,L1Q Chip