TPN22006NH,LQ
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Numer części
TPN22006NH,LQ
Producent/marka
Seria
U-MOSVIII-H
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Rozpraszanie mocy (maks.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
710pF @ 30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
6.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 34692 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TPN22006NH,LQ
TPN22006NH,LQ Części elektroniczne
TPN22006NH,LQ Obroty
TPN22006NH,LQ Dostawca
TPN22006NH,LQ Dystrybutor
TPN22006NH,LQ Tabela danych
TPN22006NH,LQ Zdjęcia
TPN22006NH,LQ Cena
TPN22006NH,LQ Oferta
TPN22006NH,LQ Najniższa cena
TPN22006NH,LQ Szukaj
TPN22006NH,LQ Nabywczy
TPN22006NH,LQ Chip