Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TK6Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
Numer części
TK6Q65W,S1Q
Producent/marka
Seria
DTMOSIV
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 180µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
390pF @ 300V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33146 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TK6Q65W,S1Q
TK6Q65W,S1Q Części elektroniczne
TK6Q65W,S1Q Obroty
TK6Q65W,S1Q Dostawca
TK6Q65W,S1Q Dystrybutor
TK6Q65W,S1Q Tabela danych
TK6Q65W,S1Q Zdjęcia
TK6Q65W,S1Q Cena
TK6Q65W,S1Q Oferta
TK6Q65W,S1Q Najniższa cena
TK6Q65W,S1Q Szukaj
TK6Q65W,S1Q Nabywczy
TK6Q65W,S1Q Chip