Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TK6Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
Numer części
TK6Q60W,S1VQ
Producent/marka
Seria
DTMOSIV
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
Super Junction
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 310µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
390pF @ 300V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 32098 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TK6Q60W,S1VQ
TK6Q60W,S1VQ Części elektroniczne
TK6Q60W,S1VQ Obroty
TK6Q60W,S1VQ Dostawca
TK6Q60W,S1VQ Dystrybutor
TK6Q60W,S1VQ Tabela danych
TK6Q60W,S1VQ Zdjęcia
TK6Q60W,S1VQ Cena
TK6Q60W,S1VQ Oferta
TK6Q60W,S1VQ Najniższa cena
TK6Q60W,S1VQ Szukaj
TK6Q60W,S1VQ Nabywczy
TK6Q60W,S1VQ Chip