Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STU6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Numer części
STU6N65M2
Producent/marka
Seria
MDmesh™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakiet urządzeń dostawcy
IPAK (TO-251)
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
226pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 10281 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STU6N65M2
STU6N65M2 Części elektroniczne
STU6N65M2 Obroty
STU6N65M2 Dostawca
STU6N65M2 Dystrybutor
STU6N65M2 Tabela danych
STU6N65M2 Zdjęcia
STU6N65M2 Cena
STU6N65M2 Oferta
STU6N65M2 Najniższa cena
STU6N65M2 Szukaj
STU6N65M2 Nabywczy
STU6N65M2 Chip