Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STU6N65K3
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Numer części
STU6N65K3
Producent/marka
Seria
SuperMESH3™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
880pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 49604 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STU6N65K3
STU6N65K3 Części elektroniczne
STU6N65K3 Obroty
STU6N65K3 Dostawca
STU6N65K3 Dystrybutor
STU6N65K3 Tabela danych
STU6N65K3 Zdjęcia
STU6N65K3 Cena
STU6N65K3 Oferta
STU6N65K3 Najniższa cena
STU6N65K3 Szukaj
STU6N65K3 Nabywczy
STU6N65K3 Chip