Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STI12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
Numer części
STI12N65M5
Producent/marka
Seria
MDmesh™ V
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
70W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
900pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 49480 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STI12N65M5
STI12N65M5 Części elektroniczne
STI12N65M5 Obroty
STI12N65M5 Dostawca
STI12N65M5 Dystrybutor
STI12N65M5 Tabela danych
STI12N65M5 Zdjęcia
STI12N65M5 Cena
STI12N65M5 Oferta
STI12N65M5 Najniższa cena
STI12N65M5 Szukaj
STI12N65M5 Nabywczy
STI12N65M5 Chip