Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STI10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Numer części
STI10N62K3
Producent/marka
Seria
SuperMESH3™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
620V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1250pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 49438 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STI10N62K3
STI10N62K3 Części elektroniczne
STI10N62K3 Obroty
STI10N62K3 Dostawca
STI10N62K3 Dystrybutor
STI10N62K3 Tabela danych
STI10N62K3 Zdjęcia
STI10N62K3 Cena
STI10N62K3 Oferta
STI10N62K3 Najniższa cena
STI10N62K3 Szukaj
STI10N62K3 Nabywczy
STI10N62K3 Chip