Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Numer części
STB11NM80T4
Producent/marka
Seria
MDmesh™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
43.6nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1630pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 52063 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STB11NM80T4
STB11NM80T4 Części elektroniczne
STB11NM80T4 Obroty
STB11NM80T4 Dostawca
STB11NM80T4 Dystrybutor
STB11NM80T4 Tabela danych
STB11NM80T4 Zdjęcia
STB11NM80T4 Cena
STB11NM80T4 Oferta
STB11NM80T4 Najniższa cena
STB11NM80T4 Szukaj
STB11NM80T4 Nabywczy
STB11NM80T4 Chip