STB100N6F7
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
Numer części
STB100N6F7
Producent/marka
Seria
STripFET™ F7
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1980pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40606 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STB100N6F7
STB100N6F7 Części elektroniczne
STB100N6F7 Obroty
STB100N6F7 Dostawca
STB100N6F7 Dystrybutor
STB100N6F7 Tabela danych
STB100N6F7 Zdjęcia
STB100N6F7 Cena
STB100N6F7 Oferta
STB100N6F7 Najniższa cena
STB100N6F7 Szukaj
STB100N6F7 Nabywczy
STB100N6F7 Chip