STB100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Numer części
STB100N10F7
Producent/marka
Seria
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
61nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4369pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 19426 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STB100N10F7
STB100N10F7 Części elektroniczne
STB100N10F7 Obroty
STB100N10F7 Dostawca
STB100N10F7 Dystrybutor
STB100N10F7 Tabela danych
STB100N10F7 Zdjęcia
STB100N10F7 Cena
STB100N10F7 Oferta
STB100N10F7 Najniższa cena
STB100N10F7 Szukaj
STB100N10F7 Nabywczy
STB100N10F7 Chip