Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TP5335K1-G
MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
Numer części
TP5335K1-G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236AB (SOT23)
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
350V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
110pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 34377 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TP5335K1-G
TP5335K1-G Części elektroniczne
TP5335K1-G Obroty
TP5335K1-G Dostawca
TP5335K1-G Dystrybutor
TP5335K1-G Tabela danych
TP5335K1-G Zdjęcia
TP5335K1-G Cena
TP5335K1-G Oferta
TP5335K1-G Najniższa cena
TP5335K1-G Szukaj
TP5335K1-G Nabywczy
TP5335K1-G Chip