Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TP5322N8-G

TP5322N8-G

MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
Numer części
TP5322N8-G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-243AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-243AA (SOT-89)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
220V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
110pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 11038 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe TP5322N8-G
TP5322N8-G Części elektroniczne
TP5322N8-G Obroty
TP5322N8-G Dostawca
TP5322N8-G Dystrybutor
TP5322N8-G Tabela danych
TP5322N8-G Zdjęcia
TP5322N8-G Cena
TP5322N8-G Oferta
TP5322N8-G Najniższa cena
TP5322N8-G Szukaj
TP5322N8-G Nabywczy
TP5322N8-G Chip