Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFY8N65X2
MOSFET N-CH
Numer części
IXFY8N65X2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
-
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
790pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 8461 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFY8N65X2
IXFY8N65X2 Części elektroniczne
IXFY8N65X2 Obroty
IXFY8N65X2 Dostawca
IXFY8N65X2 Dystrybutor
IXFY8N65X2 Tabela danych
IXFY8N65X2 Zdjęcia
IXFY8N65X2 Cena
IXFY8N65X2 Oferta
IXFY8N65X2 Najniższa cena
IXFY8N65X2 Szukaj
IXFY8N65X2 Nabywczy
IXFY8N65X2 Chip