Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFY4N85X
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
Numer części
IXFY4N85X
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252 (IXFY)
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
850V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
247pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 29216 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFY4N85X
IXFY4N85X Części elektroniczne
IXFY4N85X Obroty
IXFY4N85X Dostawca
IXFY4N85X Dystrybutor
IXFY4N85X Tabela danych
IXFY4N85X Zdjęcia
IXFY4N85X Cena
IXFY4N85X Oferta
IXFY4N85X Najniższa cena
IXFY4N85X Szukaj
IXFY4N85X Nabywczy
IXFY4N85X Chip