Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SPB80N03S2L-03 G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Numer części
SPB80N03S2L-03 G
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
220nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8180pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26153 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SPB80N03S2L-03 G
SPB80N03S2L-03 G Części elektroniczne
SPB80N03S2L-03 G Obroty
SPB80N03S2L-03 G Dostawca
SPB80N03S2L-03 G Dystrybutor
SPB80N03S2L-03 G Tabela danych
SPB80N03S2L-03 G Zdjęcia
SPB80N03S2L-03 G Cena
SPB80N03S2L-03 G Oferta
SPB80N03S2L-03 G Najniższa cena
SPB80N03S2L-03 G Szukaj
SPB80N03S2L-03 G Nabywczy
SPB80N03S2L-03 G Chip