Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SPB80N03S203GATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Numer części
SPB80N03S203GATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
150nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7020pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 15594 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SPB80N03S203GATMA1
SPB80N03S203GATMA1 Części elektroniczne
SPB80N03S203GATMA1 Obroty
SPB80N03S203GATMA1 Dostawca
SPB80N03S203GATMA1 Dystrybutor
SPB80N03S203GATMA1 Tabela danych
SPB80N03S203GATMA1 Zdjęcia
SPB80N03S203GATMA1 Cena
SPB80N03S203GATMA1 Oferta
SPB80N03S203GATMA1 Najniższa cena
SPB80N03S203GATMA1 Szukaj
SPB80N03S203GATMA1 Nabywczy
SPB80N03S203GATMA1 Chip