IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Numer części
IRLL024NTRPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-261-4, TO-261AA
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15.6nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
510pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 25027 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRLL024NTRPBF
IRLL024NTRPBF Części elektroniczne
IRLL024NTRPBF Obroty
IRLL024NTRPBF Dostawca
IRLL024NTRPBF Dystrybutor
IRLL024NTRPBF Tabela danych
IRLL024NTRPBF Zdjęcia
IRLL024NTRPBF Cena
IRLL024NTRPBF Oferta
IRLL024NTRPBF Najniższa cena
IRLL024NTRPBF Szukaj
IRLL024NTRPBF Nabywczy
IRLL024NTRPBF Chip