Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Numer części
IRLL014NTRPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-261-4, TO-261AA
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
230pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 32665 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF Części elektroniczne
IRLL014NTRPBF Obroty
IRLL014NTRPBF Dostawca
IRLL014NTRPBF Dystrybutor
IRLL014NTRPBF Tabela danych
IRLL014NTRPBF Zdjęcia
IRLL014NTRPBF Cena
IRLL014NTRPBF Oferta
IRLL014NTRPBF Najniższa cena
IRLL014NTRPBF Szukaj
IRLL014NTRPBF Nabywczy
IRLL014NTRPBF Chip