Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRLL014NTR
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Numer części
IRLL014NTR
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-261-4, TO-261AA
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
230pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 14664 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRLL014NTR
IRLL014NTR Części elektroniczne
IRLL014NTR Obroty
IRLL014NTR Dostawca
IRLL014NTR Dystrybutor
IRLL014NTR Tabela danych
IRLL014NTR Zdjęcia
IRLL014NTR Cena
IRLL014NTR Oferta
IRLL014NTR Najniższa cena
IRLL014NTR Szukaj
IRLL014NTR Nabywczy
IRLL014NTR Chip