IRL60S216
MOSFET N-CH 60V 195A
Numer części
IRL60S216
Producent/marka
Seria
HEXFET®, StrongIRFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
255nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
15330pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40298 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRL60S216
IRL60S216 Części elektroniczne
IRL60S216 Obroty
IRL60S216 Dostawca
IRL60S216 Dystrybutor
IRL60S216 Tabela danych
IRL60S216 Zdjęcia
IRL60S216 Cena
IRL60S216 Oferta
IRL60S216 Najniższa cena
IRL60S216 Szukaj
IRL60S216 Nabywczy
IRL60S216 Chip