Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRL60B216
MOSFET N-CH 60V 195A
Numer części
IRL60B216
Producent/marka
Seria
HEXFET®, StrongIRFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
258nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
15570pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 44881 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRL60B216
IRL60B216 Części elektroniczne
IRL60B216 Obroty
IRL60B216 Dostawca
IRL60B216 Dystrybutor
IRL60B216 Tabela danych
IRL60B216 Zdjęcia
IRL60B216 Cena
IRL60B216 Oferta
IRL60B216 Najniższa cena
IRL60B216 Szukaj
IRL60B216 Nabywczy
IRL60B216 Chip