Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRFH3702TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Numer części
IRFH3702TRPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (3x3)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1510pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 8078 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRFH3702TRPBF
IRFH3702TRPBF Części elektroniczne
IRFH3702TRPBF Obroty
IRFH3702TRPBF Dostawca
IRFH3702TRPBF Dystrybutor
IRFH3702TRPBF Tabela danych
IRFH3702TRPBF Zdjęcia
IRFH3702TRPBF Cena
IRFH3702TRPBF Oferta
IRFH3702TRPBF Najniższa cena
IRFH3702TRPBF Szukaj
IRFH3702TRPBF Nabywczy
IRFH3702TRPBF Chip