IRFH3702TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Numer części
IRFH3702TR2PBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (3x3)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1510pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 19737 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRFH3702TR2PBF
IRFH3702TR2PBF Części elektroniczne
IRFH3702TR2PBF Obroty
IRFH3702TR2PBF Dostawca
IRFH3702TR2PBF Dystrybutor
IRFH3702TR2PBF Tabela danych
IRFH3702TR2PBF Zdjęcia
IRFH3702TR2PBF Cena
IRFH3702TR2PBF Oferta
IRFH3702TR2PBF Najniższa cena
IRFH3702TR2PBF Szukaj
IRFH3702TR2PBF Nabywczy
IRFH3702TR2PBF Chip