Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPB80N04S204ATMA2
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Numer części
IPB80N04S204ATMA2
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
170nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5300pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 37109 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB80N04S204ATMA2
IPB80N04S204ATMA2 Części elektroniczne
IPB80N04S204ATMA2 Obroty
IPB80N04S204ATMA2 Dostawca
IPB80N04S204ATMA2 Dystrybutor
IPB80N04S204ATMA2 Tabela danych
IPB80N04S204ATMA2 Zdjęcia
IPB80N04S204ATMA2 Cena
IPB80N04S204ATMA2 Oferta
IPB80N04S204ATMA2 Najniższa cena
IPB80N04S204ATMA2 Szukaj
IPB80N04S204ATMA2 Nabywczy
IPB80N04S204ATMA2 Chip