Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPB80N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Numer części
IPB80N03S4L02ATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Rozpraszanie mocy (maks.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
140nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9750pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 19271 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB80N03S4L02ATMA1
IPB80N03S4L02ATMA1 Części elektroniczne
IPB80N03S4L02ATMA1 Obroty
IPB80N03S4L02ATMA1 Dostawca
IPB80N03S4L02ATMA1 Dystrybutor
IPB80N03S4L02ATMA1 Tabela danych
IPB80N03S4L02ATMA1 Zdjęcia
IPB80N03S4L02ATMA1 Cena
IPB80N03S4L02ATMA1 Oferta
IPB80N03S4L02ATMA1 Najniższa cena
IPB80N03S4L02ATMA1 Szukaj
IPB80N03S4L02ATMA1 Nabywczy
IPB80N03S4L02ATMA1 Chip