IPB50R140CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
Numer części
IPB50R140CPATMA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Rozpraszanie mocy (maks.)
192W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
550V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 930µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
64nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2540pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 52863 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB50R140CPATMA1
IPB50R140CPATMA1 Części elektroniczne
IPB50R140CPATMA1 Obroty
IPB50R140CPATMA1 Dostawca
IPB50R140CPATMA1 Dystrybutor
IPB50R140CPATMA1 Tabela danych
IPB50R140CPATMA1 Zdjęcia
IPB50R140CPATMA1 Cena
IPB50R140CPATMA1 Oferta
IPB50R140CPATMA1 Najniższa cena
IPB50R140CPATMA1 Szukaj
IPB50R140CPATMA1 Nabywczy
IPB50R140CPATMA1 Chip