Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPB50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Numer części
IPB50N10S3L16ATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
64nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4180pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42694 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB50N10S3L16ATMA1
IPB50N10S3L16ATMA1 Części elektroniczne
IPB50N10S3L16ATMA1 Obroty
IPB50N10S3L16ATMA1 Dostawca
IPB50N10S3L16ATMA1 Dystrybutor
IPB50N10S3L16ATMA1 Tabela danych
IPB50N10S3L16ATMA1 Zdjęcia
IPB50N10S3L16ATMA1 Cena
IPB50N10S3L16ATMA1 Oferta
IPB50N10S3L16ATMA1 Najniższa cena
IPB50N10S3L16ATMA1 Szukaj
IPB50N10S3L16ATMA1 Nabywczy
IPB50N10S3L16ATMA1 Chip