Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
BUZ31H3046XKSA1
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Numer części
BUZ31H3046XKSA1
Producent/marka
Seria
SIPMOS®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
95W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1120pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26936 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BUZ31H3046XKSA1
BUZ31H3046XKSA1 Części elektroniczne
BUZ31H3046XKSA1 Obroty
BUZ31H3046XKSA1 Dostawca
BUZ31H3046XKSA1 Dystrybutor
BUZ31H3046XKSA1 Tabela danych
BUZ31H3046XKSA1 Zdjęcia
BUZ31H3046XKSA1 Cena
BUZ31H3046XKSA1 Oferta
BUZ31H3046XKSA1 Najniższa cena
BUZ31H3046XKSA1 Szukaj
BUZ31H3046XKSA1 Nabywczy
BUZ31H3046XKSA1 Chip