Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
BUZ30A E3045A
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
Numer części
BUZ30A E3045A
Producent/marka
Seria
SIPMOS®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK (TO-263AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1900pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23557 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BUZ30A E3045A
BUZ30A E3045A Części elektroniczne
BUZ30A E3045A Obroty
BUZ30A E3045A Dostawca
BUZ30A E3045A Dystrybutor
BUZ30A E3045A Tabela danych
BUZ30A E3045A Zdjęcia
BUZ30A E3045A Cena
BUZ30A E3045A Oferta
BUZ30A E3045A Najniższa cena
BUZ30A E3045A Szukaj
BUZ30A E3045A Nabywczy
BUZ30A E3045A Chip