BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
Numer części
BUZ30AH3045AATMA1
Producent/marka
Seria
SIPMOS®
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK (TO-263AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1900pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42219 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AH3045AATMA1 Części elektroniczne
BUZ30AH3045AATMA1 Obroty
BUZ30AH3045AATMA1 Dostawca
BUZ30AH3045AATMA1 Dystrybutor
BUZ30AH3045AATMA1 Tabela danych
BUZ30AH3045AATMA1 Zdjęcia
BUZ30AH3045AATMA1 Cena
BUZ30AH3045AATMA1 Oferta
BUZ30AH3045AATMA1 Najniższa cena
BUZ30AH3045AATMA1 Szukaj
BUZ30AH3045AATMA1 Nabywczy
BUZ30AH3045AATMA1 Chip