BSZ15DC02KDHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Numer części
BSZ15DC02KDHXTMA1
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerTDFN
Moc - maks
2.5W
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8-FL
Typ FET
N and P-Channel Complementary
Funkcja FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 110µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
419pF @ 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 31998 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BSZ15DC02KDHXTMA1
BSZ15DC02KDHXTMA1 Części elektroniczne
BSZ15DC02KDHXTMA1 Obroty
BSZ15DC02KDHXTMA1 Dostawca
BSZ15DC02KDHXTMA1 Dystrybutor
BSZ15DC02KDHXTMA1 Tabela danych
BSZ15DC02KDHXTMA1 Zdjęcia
BSZ15DC02KDHXTMA1 Cena
BSZ15DC02KDHXTMA1 Oferta
BSZ15DC02KDHXTMA1 Najniższa cena
BSZ15DC02KDHXTMA1 Szukaj
BSZ15DC02KDHXTMA1 Nabywczy
BSZ15DC02KDHXTMA1 Chip