BSZ100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Numer części
BSZ100N03LSGATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerTDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 36126 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BSZ100N03LSGATMA1
BSZ100N03LSGATMA1 Części elektroniczne
BSZ100N03LSGATMA1 Obroty
BSZ100N03LSGATMA1 Dostawca
BSZ100N03LSGATMA1 Dystrybutor
BSZ100N03LSGATMA1 Tabela danych
BSZ100N03LSGATMA1 Zdjęcia
BSZ100N03LSGATMA1 Cena
BSZ100N03LSGATMA1 Oferta
BSZ100N03LSGATMA1 Najniższa cena
BSZ100N03LSGATMA1 Szukaj
BSZ100N03LSGATMA1 Nabywczy
BSZ100N03LSGATMA1 Chip